Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

In Situ Etching for Total Control Over Axial and Radial Nanowire Growth

Författare

Summary, in English

We report a method using in situ etching to decouple the axial from the radial nanowire growth pathway, independent of other growth parameters. Thereby a wide range of growth parameters can be explored to improve the nanowire properties without concern of tapering or excess structural defects formed during radial growth. We demonstrate the method using etching by HCl during InP nanowire growth. The improved crystal quality of etched nanowires is indicated by strongly enhanced photoluminescence as compared to reference nanowires obtained without etching.

Publiceringsår

2010

Språk

Engelska

Sidor

264-270

Publikation/Tidskrift/Serie

Nano Reseach

Volym

3

Issue

4

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

Springer

Ämne

  • Chemical Sciences
  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • MOVPE
  • photoluminescence
  • in situ etching
  • nanowire growth

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nanometer structure consortium (nmC)

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1998-0124