Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Asymmetric InGaAs/InP MOSFETs With Source/Drain Engineering

Författare

Summary, in English

We have developed laterally asymmetric In0.53Ga0.47As/InP MOSFETs with different regrown contacts at the source (In0.53Ga0.47As) and the drain (InP). Introducing a wider bandgap material, InP, as the drain electrode, higher voltage gain g(m)/g(d) has been obtained with a reduced output conductance g(d) and improved breakdown voltage V-bd. For L-g = 50 nm, a high oscillation frequency f(max) = 300 GHz has been obtained using an InP drain. A gate-connected field-plate has been introduced, which contributes to the device saturation with better impact ionization/band-to-band tunneling immunity.

Publiceringsår

2014

Språk

Engelska

Sidor

515-517

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Electron Device Letters

Volym

35

Issue

5

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • InGaAs MOSFET
  • source/drain engineering
  • voltage gain
  • oscillation
  • frequency

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0741-3106