Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Monolithic GaAs/InGaP nanowire light emitting diodes on silicon

In English

Författare

  • C Patrik T Svensson
  • Thomas Mårtensson
  • Johanna Trägårdh
  • Christina Larsson
  • Michael Rask
  • Dan Hessman
  • Lars Samuelson
  • Jonas Ohlsson

Summary, in English

Vertical light emitting diodes (LEDs) based on GaAs/InGaP core/shell nanowires, epitaxially grown on GaP and Si substrates, have been fabricated. The devices can be fabricated over large areas and can be precisely positioned on the substrates, by the use of standard lithography techniques, enabling applications such as on-chip optical communication. LED functionality was established on both kinds of substrate, and the devices were evaluated in terms of temperature-dependent photoluminescence and electroluminescence.

Publiceringsår

2008

Språk

Engelska

Sidor

6-305201

Publikation/Tidskrift/Serie

Nanotechnology

Volym

19

Issue

30

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IOP Publishing

Ämne

  • Nano Technology

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0957-4484