Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Analysing the capacitance–voltage measurements of vertical wrapped-gated nanowires

Författare

Summary, in English

The capacitance of arrays of vertical wrapped-gate InAs nanowires is analysed. With the help of a Poisson–Schrödinger solver, information about the doping density can be obtained directly. Further features in the measured capacitance–voltage characteristics can be attributed to the presence of surface states as well as the coexistence of electrons and holes in the wire. For both scenarios, quantitative estimates are provided. It is furthermore shown that the difference between the actual capacitance and the geometrical limit is quite large, and depends strongly on the nanowire material.

Publiceringsår

2008

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Nanotechnology

Volym

19

Issue

43

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IOP Publishing

Ämne

  • Nano Technology

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nano
  • Nanometer structure consortium (nmC)
  • Linne Center for Nanoscience and Quantum Engineering

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0957-4484