Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Development of a Vertical Wrap-Gated InAs FET

Författare

  • Claes Thelander
  • Carl Rehnstedt
  • Linus E. Froberg
  • Erik Lind
  • Thomas Martensson
  • Philippe Caroff
  • Truls Lowgren
  • B. Jonas Ohlsson
  • Lars Samuelson
  • Lars-Erik Wernersson

Summary, in English

In this paper, we report on the development of a vertical wrap-gated field-effect transistor based on epitaxially grown InAs nanowires. We discuss some of the important steps involved in the growth and processing, such as nanowire position control in situ doping, high-kappa dielectric deposition, spacer layer formation: and metal wrap-gate fabrication. In particular, we compare a few alternative methods for deposition of materials onto vertical structures and discuss their potential advantages and limitations. Finally, we also present a comparison of transistor performance for nanowires grown using two different epitaxial techniques.

Publiceringsår

2008

Språk

Engelska

Sidor

3030-3036

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Transactions on Electron Devices

Volym

55

Issue

11

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Condensed Matter Physics
  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • nanowire
  • Field-effect transistor (FET)
  • InAs
  • wrap gate
  • surround gate

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nano

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0018-9383