Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Antisymmetric magnetoresistance anomalies and magnetic domain structure in GaMnAs/InGaAs layers

In English

Författare

  • W. Desrat
  • S. Kamara
  • F. Terki
  • S. Charar
  • Janusz Sadowski
  • D. K. Maude

Summary, in English

Antisymmetric magneto-resistance anomalies generated by a reversal of the magnetization are studied in a number of GaMnAs/InGaAs layers with out-of-plane (easy axis) magnetization. The anomalies occur independent of the magnetic field orientation. This shows, that once a magnetic domain with reversed magnetization is nucleated, simply the presence of the domain wall between the longitudinal contacts is sufficient to give rise to the anomaly. Very different shapes for magneto-resistance anomaly can be observed experimentally depending upon the sample. They reflect the various magnetic domain structures present inside the layers during the magnetization reversal process.

Publiceringsår

2009

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Semiconductor Science and Technology

Volym

24

Issue

6

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IOP Publishing

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0268-1242