Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Probing the Wurtzite Conduction Band Structure Using State Filling in Highly Doped InP Nanowires.

Författare

Summary, in English

We have grown InP nanowires doped with hydrogen sulfide, which exhibit sulfur concentrations of up to 1.4%. The highest doped nanowires show a pure wurtzite crystal structure, in contrast to bulk InP which has the zinc blende structure. The nanowires display photoluminescence which is strongly blue shifted compared with the band gap, well into the visible range. We find evidence of a second conduction band minimum at the gamma point about 0.23 eV above the band edge, in excellent agreement with recent theoretical predictions. Electrical measurements show high conductivity and breakdown currents of 10(7) A/cm(2).

Publiceringsår

2011

Språk

Engelska

Sidor

2286-2290

Publikation/Tidskrift/Serie

Nano Letters

Volym

11

Issue

Online May 23, 2011

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

The American Chemical Society (ACS)

Ämne

  • Nano Technology
  • Condensed Matter Physics

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nanometer structure consortium (nmC)

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1530-6992