Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Gold-free growth of GaAs nanowires on silicon: arrays and polytypism

In English

Författare

  • Sebastien Plissard
  • Kimberly Dick Thelander
  • Guilhem Larrieu
  • Sylvie Godey
  • Ahmed Addad
  • Xavier Wallart
  • Philippe Caroff

Summary, in English

We report growth by molecular beam epitaxy and structural characterization of gallium-nucleated GaAs nanowires on silicon. The influences of growth temperature and V/III ratio are investigated and compared in the case of oxide-covered and oxide-free substrates. We demonstrate a precise positioning process for Ga-nucleated GaAs nanowires using a hole array in a dielectric layer thermally grown on silicon. Crystal quality is analyzed by high resolution transmission electron microscopy. Crystal structure evolves from pure zinc blende to pure wurtzite along a single nanowire, with a transition region.

Publiceringsår

2010

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Nanotechnology

Volym

21

Issue

38

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IOP Publishing

Ämne

  • Nano Technology

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0957-4484