Du är här

Reduction of native oxides on InAs by atomic layer deposited Al2O3 and HfO2

Författare:

Avdelning/ar:

Publiceringsår: 2010

Språk: Engelska

Sidor:

Publikation/Tidskrift/Serie: Applied Physics Letters

Volym: 97

Länkar:

Dokumenttyp: Artikel

Förlag: American Institute of Physics

Ämne

Status Published

Kvalitetskontrollerad Yes

Forskningsgrupp

ISBN/ISSN/Andra:

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at] lu [dot] se

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen