Meny

Javascript verkar inte påslaget? - Vissa delar av Lunds universitets webbplats fungerar inte optimalt utan javascript, kontrollera din webbläsares inställningar.
Du är här

Observation of vacancies in Ga1-xMnxAs with positron annihilation spectroscopy

Författare:
Publiceringsår: 2003
Språk: Engelska
Sidor: 601-606
Publikation/Tidskrift/Serie: Acta Physica Polonica A
Volym: 103
Nummer: 6
Dokumenttyp: Artikel
Förlag: Institute of Physics, Polish Academy of Sciences

Sammanfattning

Positron annihilation spectroscopy can be used to determine the role of vacancy defects in semiconductors, by identification and quantification of the vacancies and their chemical surroundings. We have studied 0.5-0.8 mum thick low temperature MBE GaMnAs layers with Mn content 0.5-5% and different As-2 partial pressures at growth. The Doppler broadening results show that the Ga vacancy concentration in the layers decreases with increasing Mn content and decreasing As-2 partial pressure.

Disputation

Nyckelord

  • Physics and Astronomy

Övriga

Published
Yes
  • ISSN: 0587-4246

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at] lu [dot] se

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen