Du är här

Realizing lateral wrap-gated nanowire FETs: Controlling gate length with chemistry rather than lithography

Författare:

Avdelning/ar:

Fasta tillståndets fysik

Publiceringsår: 2012

Språk: Engelska

Dokumenttyp: Konferensbidrag: abstract

Sammanfattning

Disputation

Nyckelord

Ämne

Physics and Astronomy

Övrigt

Konferensnamn ICPS 2012

Konferensplats Zürich

Status Published

Kvalitetskontrollerad Yes

Forskningsgrupp

Nanometer structure consortium (nmC)

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at] lu [dot] se

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen