Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

High-Current GaSb/InAs(Sb) Nanowire Tunnel Field-Effect Transistors

Författare

Summary, in English

We present electrical characterization of GaSb/InAs(Sb) nanowire tunnel field-effect transistors. The broken band alignment of the GaSb/InAs(Sb) heterostructure is exploited to allow for interband tunneling without a barrier, leading to high ON-current levels. We report a maximum drive current of 310 μA/μm at Vds = 0.5 V. Devices with scaled gate oxides display transconductances up to gm = 250 mS/mm at Vds = 300 mV, which are normalized to the nanowire circumference at the axial heterojunction.

Publiceringsår

2013

Språk

Engelska

Sidor

211-213

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Electron Device Letters

Volym

34

Issue

2

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Condensed Matter Physics
  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • Broken gap
  • GaSb
  • III–V
  • InAs
  • tunnel field-effect transistors (TFETs)

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nano

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0741-3106