Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Study of influence of domain structure on observed magnetoresistance anomalies in GaMnAs

Författare

  • Piotr Juszynski
  • Dariusz Wasik
  • Marta Gryglas-Borysiewicz
  • Janusz Sadowski

Summary, in English

Magneto-transport properties of a Ga0.93Mn0.07As ferromagnetic semiconductor film with strong epitaxial strain (Ga0.7In0.3As buffer) have been studied. The observed magnetoresistance showed peculiar peaks at the magnetic fields corresponding to magnetization switching probed by Hall voltage. Computer simulations showed that these anomalies could originate from the formation of complex, island-like magnetic domains, and their propagation in the sample.

Publiceringsår

2013

Språk

Engelska

Sidor

4-093708

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Reviews

Volym

113

Issue

9

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1931-9401