Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

High-Performance Lateral Nanowire InGaAs MOSFETs with Improved On-Current

In English

Författare

Summary, in English

We report on In0.85Ga0.15As MOSFETs utilizing selectively grown lateral nanowires as the channel. These devices exhibit ON-current of ION = 565μ/Aμm at IOFF =100 nA/μm and VD=0.5 V, which is higher than all other reported values for III-V FETs. This is enabled by a transconductance of 2.9 mS/μm and a minimum SSsat of 77 mV/decade. A ballistic top-of-the-barrier model is used to model these devices and to predict their ultimate performance, which is approximately twice that of the fabricated devices.

Publiceringsår

2016-10-01

Språk

Engelska

Sidor

1264-1267

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Electron Device Letters

Volym

37

Issue

10

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Communication Systems

Nyckelord

  • III-V
  • InGaAs
  • MOSFET
  • nanowire

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0741-3106