Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Surface and electronic structure of epitaxial PtLuSb (001) thin films

Författare

Summary, in English

The surface and electronic structure of single crystal thin films of PtLuSb (001) grown by molecular beam epitaxy were studied. Scanning tunneling spectroscopy (STS), photoemission spectroscopy, and temperature dependent Hall measurements of PtLuSb thin films are consistent with a zero-gap semiconductor or semi-metal. STS and photoemission measurements show a decrease in density of states approaching the Fermi level for both valence and conduction bands as well as a slight shift of the Fermi level position into the valence band. Temperature dependent Hall measurements also corroborate the Fermi level position by measurement of p-type carriers. (C) 2014 AIP Publishing LLC.

Publiceringsår

2014

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Letters

Volym

104

Issue

20

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Atom and Molecular Physics and Optics
  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0003-6951