Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Extraction of oxide traps in III-V MOSFETs using RF transconductance measurements

In English

Författare

Summary, in English

We here present simulations of the effect of border traps on the behavior of a III-V FET's transconductance with respect to frequency. We also compare simulations with a recently developed analytical model for extracting the border trap distribution through measurements of the transconductance, find good agreement between the extracted and simulated transconductance.

Publiceringsår

2013

Språk

Engelska

Sidor

415-419

Publikation/Tidskrift/Serie

ECS Transactions

Volym

52

Issue

1

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

Electrochemical Society

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Conference name

China Semiconductor Technology International Conference (CSTIC)

Conference date

2013-03-17 - 2013-03-18

Conference place

Shanghai, China

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1938-5862
  • ISSN: 1938-6737