Meny

Javascript verkar inte påslaget? - Vissa delar av Lunds universitets webbplats fungerar inte optimalt utan javascript, kontrollera din webbläsares inställningar.
Du är här

One dimensional heterostructures and resonant tunneling in III-V nanowires

Författare:
Publiceringsår: 2003
Språk: Engelska
Sidor: 151-152
Publikation/Tidskrift/Serie: 2003 International Symposium on Compound Semiconductors (Cat. No.03TH8675)
Dokumenttyp: Konferensbidrag
Förlag: IEEE

Sammanfattning

We use a bottom-up approach to grow epitaxially nucleated semiconductor nanowires from gold particles. Heterostructure barriers of InP are introduced inside InAs nanowires to form resonant tunneling diodes and single-electron transistors

Disputation

Nyckelord

  • Technology and Engineering
  • III-V nanowires
  • GaAs
  • one dimensional heterostructures
  • epitaxially nucleated semiconductor nanowires growth
  • InP
  • gold particles
  • InP heterostructure barriers
  • InAs
  • resonant tunneling diodes
  • single electron transistors

Övriga

IEEE International Symposium on Compound Semiconductors
25-27 Aug. 2003
San Diego, CA, USA
Published
Yes
  • ISBN: 0-7803-7820-2

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at] lu [dot] se

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen