Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Effect of annealing on carrier density and Curie temperature in epitaxial (Ga,Mn)As thin films

In English

Författare

  • BS Sorensen
  • PE Lindelof
  • Janusz Sadowski
  • R Mathieu
  • P Svedlindh

Summary, in English

We report a clear correspondence between changes in the Curie temperature and carrier density upon annealing in epitaxially grown (Ga,Mn)As layers with thicknesses in the range between 5 and 20 nm. The changes are dependent on the layer thickness, indicating that the (Ga,Mn)As-GaAs interface has importance for the physical properties of the (Ga,Mn)As layer. The magnetoresistance shows additional features when compared to thick (Ga,Mn)As layers, that are at present of unknown origin. (C) 2003 American Institute of Physics.

Publiceringsår

2003

Språk

Engelska

Sidor

2287-2289

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Letters

Volym

82

Issue

14

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0003-6951