Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

In0.63Ga0.37As FinFETs Using Selectively Regrown Nanowires with Peak Transconductance of 2.85 mS/mu m at V-ds-0.5 V

In English

Författare

Publiceringsår

2014

Språk

Engelska

Sidor

209-210

Publikation/Tidskrift/Serie

2014 72nd Annual Device Research Conference (DRC)

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Conference name

72nd Annual Device Research Conference (DRC)

Conference date

2014-06-22 - 2014-06-25

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1548-3770