Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Observation of vacancies in Ga1-xMnxAs with positron annihilation spectroscopy

In English

Författare

  • F Tuomisto
  • J Slotte
  • K Saarinen
  • Janusz Sadowski

Summary, in English

Positron annihilation spectroscopy can be used to determine the role of vacancy defects in semiconductors, by identification and quantification of the vacancies and their chemical surroundings. We have studied 0.5-0.8 mum thick low temperature MBE GaMnAs layers with Mn content 0.5-5% and different As-2 partial pressures at growth. The Doppler broadening results show that the Ga vacancy concentration in the layers decreases with increasing Mn content and decreasing As-2 partial pressure.

Publiceringsår

2003

Språk

Engelska

Sidor

601-606

Publikation/Tidskrift/Serie

Acta Physica Polonica. Series A: General Physics, Physics of Condensed Matter, Optics and Quantum Electronics, Atomic and Molecular Physics, Applied Physics

Volym

103

Issue

6

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

Institute of Physics, Polish Academy of Sciences

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0587-4246