Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Vertical InAs nanowire MOSFETs with IDS = 1.34 mA/µm and gm = 1.19 mS/µm at VDS = 0.5 V

In English

Författare

Publiceringsår

2012

Språk

Engelska

Sidor

195-196

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Electron Device Letters

Dokumenttyp

Konferensbidrag: abstract

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • Nanowire
  • Transistor
  • FET
  • MOSFET
  • InAs

Conference name

Device Research Conference (DRC), 2012 70th Annual

Conference date

2012-06-18

Conference place

University Park, PA, United States

Status

Published

Projekt

  • EIT_WWW Wireless with Wires

Forskningsgrupp

  • Nano

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0741-3106