Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

1/f-noise in Vertical InAs Nanowire Transistors

In English

Författare

Summary, in English

The material quality at high-k interfaces are a major concern for FET devices. We study the effect on two types of InAs nanowire (NW) transistors and compare their characteristics. It is found that by introducing an inner layer of Al2O3 at the high-kappa interface, the low frequency noise (LFN) performance regarding gate voltage noise spectral density, S-Vg, is improved by one order of magnitude per unit gate area.

Publiceringsår

2013

Språk

Engelska

Sidor

1-2

Publikation/Tidskrift/Serie

2013 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • 1/f-noise
  • high-kappa
  • nanowire
  • InAs
  • FET

Conference name

25th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)

Conference date

2013-05-19 - 2013-05-23

Conference place

Kobe, Japan

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1092-8669