Meny

Javascript verkar inte påslaget? - Vissa delar av Lunds universitets webbplats fungerar inte optimalt utan javascript, kontrollera din webbläsares inställningar.
Du är här

InAs nanowire metal-oxide-semiconductor capacitors

Författare:
Publiceringsår: 2008
Språk: Engelska
Publikation/Tidskrift/Serie: Applied Physics Letters
Volym: 92
Nummer: 25
Dokumenttyp: Artikel i tidskrift
Förlag: American Institute of Physics

Sammanfattning

We present a capacitance-voltage study for arrays of vertical InAs nanowires. Metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors are obtained by insulating the nanowires with a conformal 10 nm HfO2 layer and using a top Cr/Au metallization as one of the capacitor's electrodes. The described fabrication and characterization technique enables a systematic investigation of the carrier density in the nanowires as well as of the quality of the MOS interface.

Nyckelord

  • Condensed Matter Physics

Övriga

Published
  • Linne Center for Nanoscience and Quantum Engineering-lup-obsolete
  • Nano-lup-obsolete
  • ISSN: 0003-6951

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at] lu.se

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen