Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Dissociative NH3 adsorption on the Si(100)2 × 1 surface at 300 K

Författare

Summary, in English

High resolution electron energy loss spectroscopy has been used to determine how NH3 adsorbs on the Si(100)2 × 1 surface at 300 K. We find that the NH3 molecules dissociate into NH2 and H on adsorption. Combination bands, overtones and double losses for the Si---NH2 group are observed. An anneal to 800 K is sufficient to dissociate the adsorbed NH2 groups while the majority of the Si---H bonds remain intact. An anneal to 1100 K is enough to break the Si-H bonds and start the formation of silicon nitride.

Publiceringsår

1991

Språk

Engelska

Sidor

353-356

Publikation/Tidskrift/Serie

Surface Science

Volym

241

Issue

3

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

Elsevier

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Electromagnetic theory

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0039-6028