Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Reduced impact of induced gate noise on inductively degenerated LNAs in deep submicron CMOS technologies

Författare

Summary, in English

Designers of radio-frequency inductively-degenerated CMOS low-noise-amplifiers have usually not followed the guidelines for achieving minimum noise figure. Nonetheless, state-of-the- art implementations display noise figure values very close to the theoretical minimum. In this paper, we point out that this is due to the effect of the parasitic overlap capacitances in the MOS device. In particular, we show that overlap capacitances lead to a significant induced-gate-noise reduction, especially when deep sub-micron CMOS processes are used.

Publiceringsår

2005

Språk

Engelska

Sidor

31-36

Publikation/Tidskrift/Serie

Analog Integrated Circuits and Signal Processing

Volym

42

Issue

1

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

Springer

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0925-1030