Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Tunneling Based Electronic Devices

Författare

Summary, in Swedish

Popular Abstract in Swedish

Denna avhandling behandlar design, tillverkning, karakterisering och optimering av elektroniska komponenter alla baserade på kvantmekanisk tunnling.



Tunnling är ett rent kvantmekaniskt fenomen utan någon klassisk motsvarighet, som först blir relevant då dimensionerna krymper ner i nanometerskala (en nanometer är en miljarddel's meter). Då kan elektroner ”tunnla” igenom barriärer vilka i klassisk fysik hade stoppat dera's framfart. Det innebär bland annat, att material som är elektriska isolatorer i makroskopiska storlekar kan börja släppa igenom ström när de krymp's ner till nanometerskalan. Tunnlingsfenomenet kan vidare använda's för att tillverka komponenter som uppvisar negativ differentiell resistan's, det vill säga komponenter i vilka strömmen minskar då spänningen ökar. Denna karakteristik är intressant för olika elektroniska tillämpningar, till exempel oscillatorer och kompakt integration av digitala grindar.



Två sådana komponenter har studerat's här, så kallade resonanta tunneldioder och Esaki-dioder. Genom avancerad halvledarprocessning är det vidare möjligt att tillverka tre-terminalkomponenter, så kallade transistorer. På så sätt kan man även tillverka tunneltransistorer, i vilka tunnelströmmen kan styra's med en yttre pålagd kontrollspänning. Avhandlingsarbetet täcker fabrikation av resonanta tunneltransistorer, design av resonanta tunneldioder/transistorer för höghastighetstillämpningar, och tredimensionell integration av metaller och halvledare. Även grundläggande studier transportmekanismer för kopplade lågdimensionella system har utfört's, där elektroner tunnlar mellan två noll-dimensionella tillstånd.. Slutligen har Esaki-dioder i kisel-germanium lämpade för integration med traditionell kiselbaserad elektronik tillverkat's.

Publiceringsår

2004

Språk

Engelska

Dokumenttyp

Doktorsavhandling

Förlag

Solid State Physics, Lund University

Ämne

  • Condensed Matter Physics
  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • SiGe
  • Esaki Diodes
  • classical mechanics
  • quantum mechanics
  • relativity
  • termodynamik
  • relativitet
  • kvantmekanik
  • statistisk fysik
  • Matematisk och allmän teoretisk fysik
  • thermodynamics
  • gravitation
  • statistical physics
  • GaAs
  • Mathematical and general theoretical physics
  • Resonant Tunneling Permeable Base Transistors
  • Resonant Tunneling Diodes
  • klassisk mekanik
  • Fysicumarkivet A:2004:Lind

Status

Published

Handledare

  • [unknown] [unknown]

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISBN: 91-628-6226-X

Försvarsdatum

5 november 2004

Försvarstid

13:15

Försvarsplats

Lecture hall B, Dept of Physics, Sölvegatan 14, Lund Institute of Technology

Opponent

  • Hans Lüth (Prof)