Meny

Javascript verkar inte påslaget? - Vissa delar av Lunds universitets webbplats fungerar inte optimalt utan javascript, kontrollera din webbläsares inställningar.
Du är här

Vertical wrap-gated nanowire transistors

Författare:
Publiceringsår: 2006
Språk: Engelska
Sidor: 227-230
Publikation/Tidskrift/Serie: Nanotechnology
Volym: 17
Nummer: 11
Dokumenttyp: Artikel i tidskrift
Förlag: IOP Publishing

Sammanfattning

We present a process for fabricating a field-effect transistor based on vertically standing InAs nanowires and demonstrate initial device characteristics. The wires are grown by chemical beam epitaxy at lithographically defined locations. Wrap gates are formed around the base of the wires through a number of deposition and etch steps. The fabrication is based on standard III - V processing and includes no random elements or single nanowire manipulation.

Nyckelord

  • Nano Technology

Övriga

Published
  • ISSN: 0957-4484

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at] lu.se

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen