Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Silicon intercalation into the graphene-SiC interface

In English

Författare

  • F. Wang
  • K. Shepperd
  • J. Hicks
  • M. S. Nevius
  • H. Tinkey
  • A. Tejeda
  • A. Taleb-Ibrahimi
  • F. Bertran
  • P. Le Fevre
  • D. B. Torrance
  • P. N. First
  • W. A. de Heer
  • Alexei Zakharov
  • E. H. Conrad
Visa allt

Summary, in English

In this work we use low-energy electron microscopy, x-ray photoemission electron microscopy, and x-ray photoelectron spectroscopy to study how the excess Si at the graphene-vacuum interface reorders itself at high temperatures. We show that silicon deposited at room temperature onto multilayer graphene films grown on the SiC(000 (1) over bar) rapidly diffuses to the graphene-SiC interface when heated to temperatures above 1020 degrees C. In a sequence of depositions, we have been able to intercalate similar to 6 ML of Si into the graphene-SiC interface.

Publiceringsår

2012

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics)

Volym

85

Issue

16

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Physical Society

Ämne

  • Natural Sciences
  • Physical Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1098-0121