Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Selective etching of InP in InAs/InP nanowires resulting in 11 nm nanogaps

In English

Författare

Summary, in English

We demonstrate a wet chemical method to selectively etch InP segments within InAs/InP heterostructure nanowires based on a photo-assisted HAc/HBr solution etching process. We successfully etched InP segments ranging from 60 nm down to about 10 nm in size.

Publiceringsår

2016-01-20

Språk

Engelska

Sidor

1489-1492

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE-NANO 2015 - 15th International Conference on Nanotechnology

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Nano Technology
  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • heterostructure nanowire
  • InAs/InP
  • nanogap electrodes
  • selective etching

Conference name

15th IEEE International Conference on Nanotechnology, IEEE-NANO 2015

Conference date

2015-07-27 - 2015-07-30

Conference place

Rome, Italy

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISBN: 9781467381550