Meny

Javascript verkar inte påslaget? - Vissa delar av Lunds universitets webbplats fungerar inte optimalt utan javascript, kontrollera din webbläsares inställningar.
Du är här

Low-frequency noise in vertical InAs nanowire FETs

Författare:
Publiceringsår: 2010
Språk: Engelska
Sidor: 428-430
Publikation/Tidskrift/Serie: IEEE Electron Device Letters
Volym: 31
Nummer: 5
Dokumenttyp: Artikel i tidskrift
Förlag: IEEE--Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Sammanfattning

This letter presents dc characteristics and low-frequency noise (LFN) measurements on single vertical InAs nanowire MOSFETs with 35-nm gate length and HfO2 high-kappa dielectric. The average normalized transconductance for three devices is 0.16 S/mm, with a subthreshold slope of 130 mV/decade. At 10 Hz, the normalized noise power S-I/I-d(2) measures 7.3 x 10(-7) Hz(-1). Moreover, the material-dependent Hooge's parameter at room temperature is estimated to be 4.2 x 10(-3).

Nyckelord

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering
  • Condensed Matter Physics
  • nanowire (NW)
  • InAs
  • FET
  • flicker noise

Övriga

Published
  • Nano-lup-obsolete
  • Digital ASIC-lup-obsolete
  • Analog RF-lup-obsolete
  • ISSN: 0741-3106

Box 117, 221 00 LUND
Telefon 046-222 00 00 (växel)
Telefax 046-222 47 20
lu [at] lu.se

Fakturaadress: Box 188, 221 00 LUND
Organisationsnummer: 202100-3211
Om webbplatsen