Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Low-frequency noise in vertical InAs nanowire FETs

Författare

Summary, in English

This letter presents dc characteristics and low-frequency noise (LFN) measurements on single vertical InAs nanowire MOSFETs with 35-nm gate length and HfO2 high-kappa dielectric. The average normalized transconductance for three devices is 0.16 S/mm, with a subthreshold slope of 130 mV/decade. At 10 Hz, the normalized noise power S-I/I-d(2) measures 7.3 x 10(-7) Hz(-1). Moreover, the material-dependent Hooge's parameter at room temperature is estimated to be 4.2 x 10(-3).

Publiceringsår

2010

Språk

Engelska

Sidor

428-430

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Electron Device Letters

Volym

31

Issue

5

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering
  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • nanowire (NW)
  • InAs
  • FET
  • flicker noise

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nano
  • Digital ASIC
  • Analog RF

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0741-3106