Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Thermal diffusion of Mn through GaAs overlayers on (Ga, Mn) As

In English

Författare

  • Johan Adell
  • I. Ulfat
  • L. Ilver
  • Janusz Sadowski
  • K. Karlsson
  • J. Kanski

Summary, in English

Thermally stimulated diffusion of Mn through thin layers of GaAs has been studied by x-ray photoemission. (Ga, Mn) As samples with 5 at% Mn were capped with 4, 6 and 8 monolayer (ML) GaAs, and Mn diffusing through the GaAs was trapped on the surface by means of amorphous As. It was found that the out-diffusion is completely suppressed for an 8 ML thick GaAs film. The short diffusion length is attributed to an electrostatic barrier formed at the (Ga, Mn) As/GaAs interface.

Publiceringsår

2011

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Journal of Physics: Condensed Matter

Volym

23

Issue

8

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IOP Publishing

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1361-648X