Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Hopping Conduction in Mn Ion-Implanted GaAs Nanowires.

In English

Författare

  • Waldomiro Paschoal
  • Sandeep Kumar
  • Christian Borschel
  • Phillip Wu
  • Carlo M Canali
  • Carsten Ronning
  • Lars Samuelson
  • Håkan Pettersson

Summary, in English

We report on temperature-dependent charge transport in heavily doped Mn(+)-implanted GaAs nanowires. The results clearly demonstrate that the transport is governed by temperature-dependent hopping processes, with a crossover between nearest neighbor hopping and Mott variable range hopping at about 180 K. From detailed analysis, we have extracted characteristic hopping energies and corresponding hopping lengths. At low temperatures, a strongly nonlinear conductivity is observed which reflects a modified hopping process driven by the high electric field at large bias.

Publiceringsår

2012

Språk

Engelska

Sidor

4838-4842

Publikation/Tidskrift/Serie

Nano Letters

Volym

12

Issue

9

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

The American Chemical Society (ACS)

Ämne

  • Nano Technology

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1530-6992