Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Assembling Ferromagnetic Single-electron Transistors with Atomic Force Microscopy

Författare

Redaktör

  • Faiz Rahman

Summary, in English

Ferromagnetic Single Electron Transistors (F-SETs) comprise ferromagnetic electrodes connected to a ferromagnetic- or non-magnetic central island via tunnel barriers. These devices are important for studies of spin-transport physics in confined structures. Here we describe the development of a novel type of AFM-assembled nano-scale F-SETs suitable for spin-transport investigations at temperatures above 4.2 K. The ingenious fabrication technique means that their electrical characteristics can be tuned in real-time during the fabrication sequence by re-positioning the central island with Ångström precision.

Publiceringsår

2008

Språk

Engelska

Sidor

29-40

Publikation/Tidskrift/Serie

Nanostructures in electronics and photonics

Dokumenttyp

Del av eller Kapitel i bok

Förlag

Pan Stanford Publishing

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISBN: 978-981-4241-10-6
  • ISBN: 9789814241120