Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

RF Characterization of Vertical InAs Nanowire Wrap-Gate Transistors Integrated on Si Substrates

In English

Författare

Summary, in English

We present dc and RF characterization of InAs nanowire field-effect transistors (FETs) heterogeneously integrated on Si substrates in a geometry suitable for circuit applications. The FET consists of an array of 182 vertical InAs nanowires with about 6-nm HfO high-gate dielectric and a wrap-gate length of 250 nm. The transistor has a transconductance of 155 mS/mm and an on-current of 550 mA/mm at a gate voltage of 1.5 V and a drain voltage of 1 V. S-parameter measurements yield an extrinsic cutoff frequency of 9.3 GHz and a extrinsic maximum oscillation frequency of 14.3 GHz.

Publiceringsår

2011

Språk

Engelska

Sidor

2733-2738

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Volym

59

Issue

10

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering
  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • High-k
  • InAs
  • MOSFET
  • nanowire
  • RF

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nano

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0018-9480