Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Spin relaxation in InAs nanowires studied by tunable weak antilocalization

In English

Författare

Summary, in English

We report on a low-temperature magnetoconductance study to characterize the electrical and spin transport properties of n-type InAs nanowires grown by chemical beam epitaxy. A gate-controlled crossover from weak localization to weak antilocalization is observed. The measured magnetoconductance data agrees well with theory for one-dimensional quasi-ballistic systems and yields a spin relaxation length which decreases with increasing gate voltage.

Publiceringsår

2005

Språk

Engelska

Sidor

1-205328

Publikation/Tidskrift/Serie

Physical Review B. Condensed Matter and Materials Physics

Volym

71

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Physical Society

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Status

Published