Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Resonant tunneling permeable base transistors with high transconductance

In English

Författare

Summary, in English

A GaAs-based resonant tunneling permeable base transistor has been developed and evaluated at room temperature. The transistor is fabricated by overgrowing a tungsten gate placed next to an AlGaAs-GaAs-InGaAs resonant tunneling heterostructure. By changing the gate voltage, the effective conducting area of the tunnel diode can be modulated and the collector-emitter current thus controlled. Peak currents above 300 mA/mm and a maximum transconductance of 270 mS/mm have been obtained.

Publiceringsår

2004

Språk

Engelska

Sidor

678-680

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Electron Device Letters

Volym

25

Issue

10

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Condensed Matter Physics
  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • resonant tunneling
  • gallium arsenide (GaAs)
  • permeable base transistors
  • transistors
  • tungsten

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0741-3106