Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Growth and characterization of single crystal semiconductor nanowires

Författare

Summary, in English

Nanowire technology allows a bottom-up approach towards fabricating extremely small devices with negligible surface damage and with very high materials quality. The control of position, dimensions and formation of abrupt heterostructures will be described and examples of electronic and photonic devices can be created by this approach

Publiceringsår

2006

Språk

Engelska

Sidor

106-107

Publikation/Tidskrift/Serie

2006 IEEE LEOS Annual Meeting Conference

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • photonic device
  • electronic device
  • single crystal semiconductor nanowires growth
  • semiconductor nanowires characterization

Conference name

2006 IEEE LEOS Annual Meeting Conference

Conference date

2006-10-29 - 2006-11-02

Conference place

Montreal, Que., Canada

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISBN: 0-7803-9555-7