Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Formation of epitaxial MnBi layers on (Ga,Mn)As

In English

Författare

  • Johan Adell
  • Martin Adell
  • Intikab Ulfat
  • Lars Ilver
  • Janusz Sadowski
  • Janusz Kanski

Summary, in English

The initial growth of MnBi on MnAs-terminated (GaMn)As is studied by means of synchrotron-based photoelectron spectroscopy. From analysis of surface core-level shifts we conclude that a continued epitaxial MnBi layer is formed, in which the MnAs/MnBi interface occurs between As and Bi atomic planes. The well-defined 1×2 surface reconstruction of the MnAs surface is preserved for up to 2 ML of MnBi before clear surface degradation occurs. The MnBi layer appears to be free from intermixed As.

Publiceringsår

2009

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics)

Volym

80

Issue

7

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Physical Society

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Nyckelord

  • semimagnetic semiconductors
  • ferromagnetic materials
  • surface reconstruction
  • photoelectron spectra
  • metallic epitaxial layers
  • manganese compounds
  • manganese alloys
  • magnetic epitaxial layers
  • magnetisation
  • bismuth alloys
  • gallium arsenide
  • core levels

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1098-0121