Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

One-dimensional heterostructures in semiconductor nanowhiskers

Författare

Summary, in English

We report on the growth of designed heterostructures placed within semiconductor nanowhiskers, exemplified by the InAs/InP material system. Based on transmission electron microscopy, we deduce the interfaces between InAs and InP to be atomically sharp. Electrical measurements of thermionic emission across an 80-nm-wide InP heterobarrier, positioned inside InAs whiskers 40 nm in diameter, yield a barrier height of 0.6 eV. On the basis of these results, we propose new branches of physics phenomena as well as new families of device structures that will now be possible to realize and explore.

Publiceringsår

2002

Språk

Engelska

Sidor

1058-1060

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Letters

Volym

80

Issue

6

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Condensed Matter Physics
  • Chemical Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0003-6951