Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

High-Performance Single Nanowire Tunnel Diodes.

Författare

Summary, in English

We demonstrate single nanowire tunnel diodes with room temperature peak current densities of up to 329 A/cm(2). Despite the large surface to volume ratio of the type-II InP-GaAs axial heterostructure nanowires, we measure peak to valley current ratios (PVCR) of up to 8.2 at room temperature and 27.6 at liquid helium temperature. These sub-100-nm-diameter structures are promising components for solar cells as well as electronic applications.

Publiceringsår

2010

Språk

Engelska

Sidor

974-979

Publikation/Tidskrift/Serie

Nano Letters

Volym

10

Issue

Online February 17, 2010

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

The American Chemical Society (ACS)

Ämne

  • Nano Technology

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nanometer structure consortium (nmC)

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1530-6992