Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Fabrication and characterization of AlP-GaP core-shell nanowires

Författare

Summary, in English

We report on the particle assisted synthesis of core-shell AlP-GaP nanowires by use of metal-organic vapor phase epitaxy. The core-shell approach is chosen such as to stabilize the AlP which is highly sensitive to water. The nanowires were investigated by scanning electron microscopy, transmission electron microscopy, X-ray diffraction, and Raman spectroscopy. These nanowires have an indirect band-gap and form a type II staggered heterojunction. By designed capping of the AlP cores by GaP, we find the nanowires to be stable for more than a year. (C) 2011 Elsevier B.V. All rights reserved.

Publiceringsår

2011

Språk

Engelska

Sidor

290-295

Publikation/Tidskrift/Serie

Journal of Crystal Growth

Volym

324

Issue

1

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

Elsevier

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • Nanostructures
  • Crystal structure
  • Low press
  • Metalorganic vapor phase
  • epitaxy
  • Nanomaterials
  • Semiconducting aluminum compounds
  • Semiconducting III-V materials

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0022-0248