Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Improved breakdown voltages for type I InP/InGaAs DHBTs

Författare

Summary, in English

We have investigated the base-collector breakdown voltage of type I InGaAs/InP DHBTs, which is shown to be dominated by band-to-band tunneling in the base-collector grade. By optimizing the grade we obtain a 20% increase in the breakdown voltage compared with traditional grades.

Publiceringsår

2008

Språk

Engelska

Sidor

504-507

Publikation/Tidskrift/Serie

20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2008. IPRM 2008

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Condensed Matter Physics
  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • InP heterojunction bipolar transistor

Conference name

20th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

Conference date

2008-05-25 - 2008-05-29

Conference place

Versailles, France

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nano

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1092-8669