Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Axial InP Nanowire Tandem Junction Grown on a Silicon Substrate

In English

Författare

Summary, in English

Tandem InP nanowire pn-junctions have been grown on a Si substrate using metal-organic vapor phase epitaxy. In situ HCl etching allowed the different subcomponents to be stacked on top of each other in the axial extension of the nanowires without detrimental radial growth. Electro-optical measurements on a single nanowire tandem pn-junction device show an open-circuit voltage of 1.15 V under illumination close to 1 sun, which is an increase of 67% compared to a single pn-junction device.

Publiceringsår

2011

Språk

Engelska

Sidor

2028-2031

Publikation/Tidskrift/Serie

Nano Letters

Volym

11

Issue

5

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

The American Chemical Society (ACS)

Ämne

  • Nano Technology
  • Condensed Matter Physics

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nanometer structure consortium (nmC)

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1530-6992