Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Anomalous bismuth-stabilized (2x1) reconstructions on GaAs(100) and InP(100) surfaces

Författare

  • P Laukkanen
  • M P J Punkkinen
  • H-P Komsa
  • M Ahola-Tuomi
  • K Kokko
  • M Kuzmin
  • Johan Adell
  • Janusz Sadowski
  • R E Perala
  • M Ropo
  • T T Rantala
  • I J Vayrynen
  • M Pessa
  • L Vitos
  • J Kollar
  • S Mirbt
  • B Johansson

Summary, in English

First-principles phase diagrams of bismuth-stabilized GaAs- and InP(100) surfaces demonstrate for the first time the presence of anomalous (2 x 1) reconstructions, which disobey the common electron counting principle. Combining these theoretical results with our scanning-tunneling-microscopy and photoemission measurements, we identify novel (2 x 1) surface structures, which are composed of symmetric Bi-Bi and asymmetric mixed Bi-As and Bi-P dimers, and find that they are stabilized by stress relief and pseudogap formation.

Publiceringsår

2008

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Physical Review Letters

Volym

100

Issue

8

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Physical Society

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1079-7114