Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Quasi-Free-Standing Epitaxial Graphene on SiC Obtained by Hydrogen Intercalation

In English

Författare

Summary, in English

Quasi-free-standing epitaxial graphene is obtained on SiC(0001) by hydrogen intercalation. The hydrogen moves between the (6 root 3 x 6 root 3) R 30 degrees reconstructed initial carbon layer and the SiC substrate. The topmost Si atoms which for epitaxial graphene are covalently bound to this buffer layer, are now saturated by hydrogen bonds. The buffer layer is turned into a quasi-free-standing graphene monolayer with its typical linear pi bands. Similarly, epitaxial monolayer graphene turns into a decoupled bilayer. The intercalation is stable in air and can be reversed by annealing to around 900 degrees C.

Publiceringsår

2009

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Physical Review Letters

Volym

103

Issue

24

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Physical Society

Ämne

  • Physical Sciences
  • Natural Sciences

Aktiv

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1079-7114