Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Design of RF Properties for Vertical Nanowire MOSFETs

In English

Författare

Summary, in English

The RF performance of vertical nanowire metal-oxide-semiconductor field-effect transistors in realistic layouts has been calculated. The parasitic capacitances have been evaluated using full 3-D finite-element method calculations, combined with self-consistent Schrodinger-Poisson calculations for the intrinsic gate capacitances. It is shown that a performance comparable to planar FETs can be achieved in the vertical geometry by scaling the nanowire diameter and the wire-to-wire separation.

Publiceringsår

2011

Språk

Engelska

Sidor

668-673

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Transactions on Nanotechnology

Volym

10

Issue

4

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Condensed Matter Physics
  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering

Nyckelord

  • Field-effect transistors
  • InAs
  • metal-oxide-semiconductor field-effect
  • transistor (MOSFET)
  • modeling
  • nanowire
  • parasitic capacitance

Status

Published

Forskningsgrupp

  • Nano

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1536-125X