Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Role of surface diffusion in chemical beam epitaxy of InAs nanowires

In English

Författare

  • Linus Jensen
  • Mikael Björk
  • Sören Jeppesen
  • Ann Persson
  • Jonas Ohlsson
  • Lars Samuelson

Summary, in English

We present growth studies of InAs nanowires nucleated from lithographically positioned Au seeds on InAs (111)B substrates. The nanowires are grown in a chemical beam epitaxy system and exhibit high aspect ratios and high homogeneity in length and width. Investigations of wire growth rate as a function of diameter, density, and time were performed and the results indicate that 80% of the growth is due to In species diffusing from the (111)B substrate surface. Furthermore, we have established that the diffusion length on the {110} wire side surfaces exceeds 10 mum. We also observe a decreasing length growth rate with increasing wire diameter.

Publiceringsår

2004

Språk

Engelska

Sidor

1961-1964

Publikation/Tidskrift/Serie

Nano Letters

Volym

4

Issue

10

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

The American Chemical Society (ACS)

Ämne

  • Nano Technology

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 1530-6992