Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Remnant magnetoresistance in ferromagnetic (Ga,Mn)As nanostructures

In English

Författare

  • T. Figielski
  • T. Wosinski
  • A. Morawski
  • A. Makosa
  • J. Wrobel
  • Janusz Sadowski

Summary, in English

The authors show a magnetoresistive effect that appears in a lithographically shaped, three-arm nanostructure fabricated from ferromagnetic (Ga,Mn)As layers. The effect, related to a rearrangement of magnetic domain walls between different pairs of arms in the structure, is revealed as a dependence of zero-field resistance on the direction of the previously applied magnetic field. This effect could allow designing devices with unique switching and memory properties.

Publiceringsår

2007

Språk

Engelska

Publikation/Tidskrift/Serie

Applied Physics Letters

Volym

90

Issue

5

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

American Institute of Physics (AIP)

Ämne

  • Natural Sciences
  • Physical Sciences

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0003-6951