Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

Semiconductor nanowires as a bottom-up approach to realize nanoelectronic and nanophotonic devices

In English

Författare

Summary, in English

In this presentation will be given an up-date of the status of epitaxially grown III-V nanowires, from the perspective of growth, processing, physics and applications in the areas of nanoelectronics and nanophotonics

Publiceringsår

2010

Språk

Engelska

Sidor

34-35

Publikation/Tidskrift/Serie

INEC: 2010 3rd International Nanoelectronics Conference, vols 1 and 2

Dokumenttyp

Konferensbidrag

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Condensed Matter Physics

Conference name

3rd IEEE International Nanoelectronics Conference

Conference date

2010-01-03 - 2010-01-08

Conference place

Hong Kong, China

Status

Published