Webbläsaren som du använder stöds inte av denna webbplats. Alla versioner av Internet Explorer stöds inte längre, av oss eller Microsoft (läs mer här: * https://www.microsoft.com/en-us/microsoft-365/windows/end-of-ie-support).

Var god och använd en modern webbläsare för att ta del av denna webbplats, som t.ex. nyaste versioner av Edge, Chrome, Firefox eller Safari osv.

A High-Frequency Transconductance Method for Characterization of High-k Border Traps in III-V MOSFETs

In English

Författare

  • Sofia Johansson
  • Martin Berg
  • Karl-Magnus Persson
  • Erik Lind

Publiceringsår

2013

Språk

Engelska

Sidor

776-781

Publikation/Tidskrift/Serie

IEEE Transactions on Electron Devices

Volym

60

Issue

2

Dokumenttyp

Artikel i tidskrift

Förlag

IEEE - Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Ämne

  • Electrical Engineering, Electronic Engineering, Information Engineering
  • Condensed Matter Physics

Nyckelord

  • transconductance
  • nanowire (NW)
  • metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET)
  • interface traps
  • high-$k$
  • frequency
  • border traps
  • InAs
  • InGaAs
  • Al2O3
  • HfO2

Status

Published

ISBN/ISSN/Övrigt

  • ISSN: 0018-9383